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IRF520N
600
500
C iss
V GS
C is s
C rs s
C o ss
=
=
=
=
0V , f = 1 M H z
C g s + C g d , C d s S H O R TE D
C gd
C ds + C gd
20
16
I D = 5.7 A
V D S = 80 V
V D S = 50 V
V D S = 20 V
400
12
300
C oss
8
200
100
C rss
4
FO R TE S T C IR C U IT
0
1
10
100
A
0
0
5
10
S E E FIG U R E 1 3
15 20
25
A
100
10
V D S , D rain-to -S ource V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 17 5°C
T J = 2 5°C
100
10
1
Q G , T otal G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R A TIO N IN TH IS A R E A LIM ITE D
B Y R D S (o n)
10μs
100μ s
1m s
10m s
V G S = 0V
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2 1.4
A
0.1
1
T C = 25 °C
T J = 17 5°C
S ing le P u lse
10
100
A
1000
V S D , S ourc e-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
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